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IRFSL38N20DPBF Infineon / IR

Infineon-IRFS38N20D-DS-v01_02-EN-1732078.pdf

Hersteller: Infineon / IR
MOSFET PLANAR >= 100V

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Technische Details IRFSL38N20DPBF Infineon / IR

Description: INFINEON - IRFSL38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 43, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: HEXFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IRFSL38N20DPBF

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	IRFSL38N20DPBF	Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 200V 43A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	IRFSL38N20DPBF	INFINEON	Description: INFINEON - IRFSL38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-262, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 43 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFSL38N20DPBF

irfs38n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ba7e2181

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 43A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube

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IRFSL38N20DPBF

INFN-S-A0002297198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFSL38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 43
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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