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IRFSL4127PBF

IRFSL4127PBF Infineon Technologies

irfs4127pbf.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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Technische Details IRFSL4127PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V.

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IRFSL4127PBF IRFSL4127PBF Hersteller : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IRFSL4127PBF IRFSL4127PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS4127_DataSheet_v01_01_EN-3363461.pdf MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC
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IRFSL4127PBF IRFSL4127PBF Hersteller : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192 Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
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IRFSL4127PBF IRFSL4127PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4127-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IRFSL4127PBF IRFSL4127PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4127-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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