IRFSL4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Mounting: THT
Case: TO262
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IRFSL4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262, Mounting: THT, Case: TO262, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 64A, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 140W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Technology: HEXFET®, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IRFSL4510PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFSL4510PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 61A TO262 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFSL4510PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET, 100V, 64A, 1 50 nC Qg, TO-262 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFSL4510PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262 Mounting: THT Case: TO262 Drain-source voltage: 100V Drain current: 64A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement |
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