IRFSL4510PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFSL4510PBF Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 64A, Power dissipation: 140W, Case: TO262, Kind of channel: enhancement, Technology: HEXFET®, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube.
Weitere Produktangebote IRFSL4510PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFSL4510PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs MOSFET, 100V, 64A, 1 50 nC Qg, TO-262 |
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IRFSL4510PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262 Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 64A Power dissipation: 140W Case: TO262 Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube |
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