Technische Details IRFSL4510PBF Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 64A, Power dissipation: 140W, Case: TO262, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Technology: HEXFET®.
Weitere Produktangebote IRFSL4510PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFSL4510PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs MOSFET, 100V, 64A, 1 50 nC Qg, TO-262 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFSL4510PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 64A Power dissipation: 140W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
Produkt ist nicht verfügbar |