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IRFSL7537PBF

IRFSL7537PBF Infineon Technologies

Infineon_Data_Sheet_IRFS7537PBF_DS_v01_01_EN-3161751.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power
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Technische Details IRFSL7537PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 173A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V.

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IRFSL7537PBF IRFSL7537PBF Hersteller : Infineon Technologies irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb Description: MOSFET N-CH 60V 173A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
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IRFSL7537PBF IRFSL7537PBF Hersteller : Infineon Technologies 3479irfs7537pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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