IRFTS9342TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFTS9342TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFTS9342TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFTS9342TRPBF nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.97 EUR
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IRFTS9342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R |
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IRFTS9342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R |
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IRFTS9342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R |
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IRFTS9342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs P-CHANNEL -30V -5.8A 40 mOhm |
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IRFTS9342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V |
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IRFTS9342TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFTS9342TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFTS9342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R |
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| IRFTS9342TRPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
MOSF P CH 30V 5.8A TSOP6 |
auf Bestellung 704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFTS9342TRPBF |
IRFTS9342TRPBF Транзисторы HEXFET |
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IRFTS9342TRPBF Produktcode: 87001
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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IRFTS9342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R |
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IRFTS9342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R |
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IRFTS9342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V |
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IRFTS9342TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Drain current: -5.8A Power dissipation: 2W |
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