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IRFTS9342TRPBF

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Produktcode: 87001
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF Infineon Technologies infineonirfts9342datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
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IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFTS9342_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs P-CHANNEL -30V -5.8A 40 mOhm
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IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF Infineon Technologies irfts9342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aeabc21f3 Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFTS9342TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFTS9342TRPBF Infineon irfts9342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aeabc21f3 MOSF P CH 30V 5.8A TSOP6 Транзистори
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IRFTS9342TRPBF irfts9342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aeabc21f3 IRFTS9342TRPBF Транзисторы HEXFET
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IRFTS9342TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
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Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
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MOSFETs P-CHANNEL -30V -5.8A 40 mOhm
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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IRFTS9342TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFTS9342TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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