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IRFU024PBF

IRFU024PBF

91264reuipi96u.pdf
Produktcode: 49505
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 60
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 01.10.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 640/25
Bem.: MOSFET
JHGF: THT
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IRFU024PBF IRFU024PBF Hersteller : Vishay sihfr024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU024PBF IRFU024PBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihfr024.pdf MOSFETs TO251 N CHAN 60V
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IRFU024PBF IRFU024PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfr024.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
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IRFU024PBF IRFU024PBF Hersteller : Vishay 91264.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU024PBF Hersteller : Vishay/IR sihfr024.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 14 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK
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IRFU024PBF IRFU024PBF Hersteller : Vishay sihfr024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU024PBF Hersteller : VISHAY sihfr024.pdf IRFU024PBF THT N channel transistors
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