IRFU024PBF
Produktcode: 49505
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 60
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 01.10.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 640/25
Bem.: MOSFET
JHGF: THT
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Weitere Produktangebote IRFU024PBF nach Preis ab 1.2 EUR bis 3.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRFU024PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO251 N-CH 60V 14A |
auf Bestellung 1503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU024PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4118 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFU024PBF | Hersteller : Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 14 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: I-PAK Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 11 Stücke: |
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IRFU024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFU024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFU024PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A IPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFU024PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |