IRFU024PBF


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Produktcode: 49505
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 640/25
Bemerkung: MOSFET
Montage: THT
auf Bestellung 15 St.:
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AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFU024PBF IRFU024PBF Vishay sihfr024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.44 EUR
128+1.37 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
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IRFU024PBF IRFU024PBF VISHAY sihfr024.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.18 EUR
65+1.31 EUR
68+1.25 EUR
71+1.2 EUR
74+1.15 EUR
77+1.12 EUR
150+1.06 EUR
1050+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IRFU024PBF IRFU024PBF Vishay Semiconductors sihfr024.pdf MOSFETs TO251 N-CH 60V 14A
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.23 EUR
100+1.87 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.48 EUR
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IRFU024PBF IRFU024PBF Vishay Siliconix sihfr024.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 4118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
75+2.18 EUR
150+1.96 EUR
525+1.65 EUR
1050+1.52 EUR
2025+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFU024PBF Vishay/IR IRFR024 IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 14 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 11 Stücke:
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IRFU024PBF sihfr024.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2863 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
123+1.44 EUR
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500+1.3 EUR
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1423 Stücke:
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65+1.31 EUR
68+1.25 EUR
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO251 N-CH 60V 14A
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100+1.87 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
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5+4.74 EUR
75+2.18 EUR
150+1.96 EUR
525+1.65 EUR
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Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 14 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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