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IRFU110PBF

IRFU110PBF Vishay


sihfu110.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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Technische Details IRFU110PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.

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IRFU110PBF IRFU110PBF Hersteller : Vishay sihfu110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU110PBF IRFU110PBF Hersteller : VISHAY IRFU110.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFU110PBF IRFU110PBF Hersteller : VISHAY IRFU110.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
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On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
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Kind of channel: enhanced
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IRFU110PBF IRFU110PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfu110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
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IRFU110PBF IRFU110PBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihfu110.pdf MOSFET 100V N-CH HEXFET I-PAK
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IRFU110PBF IRFU110PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001785367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
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IRFU110PBF IRFU110PBF Hersteller : Vishay sihfu110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU110PBF IRFU110PBF Hersteller : Vishay sihfu110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU110PBF IRFU110PBF Hersteller : Vishay sihfu110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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