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IRFU120NPBF

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IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 16275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 14425 Stücke:
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829+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
10000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 829 Stücke
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IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4557 Stücke:
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IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRFU120NPBF IRFU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.36 EUR
104+0.82 EUR
115+0.74 EUR
125+0.68 EUR
131+0.65 EUR
150+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 35212 Stücke:
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102+1.74 EUR
193+0.88 EUR
212+0.77 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.48 EUR
9000+0.45 EUR
24000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 35212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.75 EUR
192+0.9 EUR
211+0.81 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.54 EUR
9000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IRFU120NPBF IRFU120NPBF INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
auf Bestellung 4337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
208+1.12 EUR
233+0.92 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR120N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.54 EUR
100+1.11 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.79 EUR
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFU120NPBF International Rectifier HiRel Products irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
829+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
10000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 829 Stücke
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IRFU120NPBF International Rectifier/Infineon irfr120npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 9,4 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 210 мОм @ 5.6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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IRFU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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3000+0.61 EUR
12000+0.38 EUR
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IRFU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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AnzahlPrivatkunde
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IRFU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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1000+0.73 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRFU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1410 Stücke:
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63+1.36 EUR
104+0.82 EUR
115+0.74 EUR
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131+0.65 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
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AnzahlPrivatkunde
102+1.74 EUR
193+0.88 EUR
212+0.77 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.56 EUR
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192+0.9 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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IRFU120NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
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MOSFETs MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC
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2+2.76 EUR
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IRFU120NPBF irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 9,4 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 210 мОм @ 5.6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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