IRFU120NPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 431+ | 0.34 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.30 EUR |
| 3000+ | 0.28 EUR |
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| 24000+ | 0.25 EUR |
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Technische Details IRFU120NPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFU120NPBF nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.87 EUR
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IRFU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRFU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 6227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 4826 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 2925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 8050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC |
auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU120NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A Power dissipation: 39W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFU120NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A Power dissipation: 39W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 2895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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;;3.jpg "IRFU120NPBF") |
IRFU120NPBF Produktcode: 101754
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Transistoren > MOSFET N-CH ZCODE: 8541290010 |
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IRFU120NPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm |
auf Bestellung 8846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 2295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFU120NPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5.6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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