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IRFU120NPBF
Produktcode: 101754
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ZCODE: 8541290010
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote IRFU120NPBF nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRFU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 35212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 5014 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU120NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A Power dissipation: 39W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC |
auf Bestellung 2045 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1459 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU120NPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFU120NPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 9,4 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 210 мОм @ 5.6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: I-PAK Од. Anzahl je Verpackung: 75 Stücke |
verfügbar 7 Stücke: |
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| IRFU120NPBF | Hersteller : International Rectifier |
MOSFET 100V 9.4A IPAK=TO-251AA Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |