
IRFU220NPBF Infineon Technologies
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Anzahl | Preis |
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311+ | 0.46 EUR |
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Technische Details IRFU220NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFU220NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFU220NPBF nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.92 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFU220NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFU220NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK Case: IPAK Mounting: THT Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 43W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFU220NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK Case: IPAK Mounting: THT Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 43W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
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IRFU220NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 851 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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auf Bestellung 1745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU220NPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU220NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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