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IRFU220PBF (IR)

IRFU220PBF (IR)

sihfr220-datasheet.pdf
Produktcode: 94411
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,8 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 260/14
Montage: THT
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.93 EUR
100+0.83 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFU220PBF IRFU220PBF Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.96 EUR
97+1.76 EUR
155+1.06 EUR
174+0.9 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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IRFU220PBF IRFU220PBF Vishay Semiconductors sihfr220.pdf MOSFETs TO251 200V 4.8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.52 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.11 EUR
3000+0.82 EUR
6000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFU220PBF IRFU220PBF VISHAY VISH-S-A0013857036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
129+1.81 EUR
174+1.24 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRFU220PBF IRFU220PBF Vishay Siliconix sihfr220.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
auf Bestellung 3030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
75+1.81 EUR
150+1.62 EUR
525+1.37 EUR
1050+1.25 EUR
2025+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFU220PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU220PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
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Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
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