IRFU220PBF
Produktcode: 94411
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 260/14
JHGF: THT
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Möglichen Substitutionen IRFU220PBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFU220B Produktcode: 185591
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Fairchild |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-251 Uds,V: 200 V Idd,A: 2,9 A Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 300/12 JHGF: THT |
auf Bestellung 82 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRFU220PBF nach Preis ab 0.54 EUR bis 3.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRFU220PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 3006 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU220PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO251 200V 4.8A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 2894 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU220PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU220PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU220PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |