IRFU220PBF VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 19A
Case: IPAK; TO251
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 63+ | 1.14 EUR |
| 124+ | 0.58 EUR |
| 140+ | 0.51 EUR |
| 160+ | 0.45 EUR |
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Technische Details IRFU220PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFU220B Produktcode: 185591
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Fairchild |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-251 Uds,V: 200 V Idd,A: 2,9 A Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 300/12 JHGF: THT |
auf Bestellung 87 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRFU220PBF nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IRFU220PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W Mounting: THT Drain-source voltage: 200V Drain current: 4.8A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 19A Case: IPAK; TO251 |
auf Bestellung 361 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU220PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1064 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU220PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO251 200V 4.8A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 3519 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU220PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU220PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 1021 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU220PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU220PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU220PBF Produktcode: 94411
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 200 V Idd,A: 3 А Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 260/14 JHGF: THT |
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IRFU220PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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