IRFU220PBF


sihfr220-datasheet.pdf
Produktcode: 94411
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 260/14
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFU220B IRFU220B
Produktcode: 185591
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Fairchild irfu220b.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 200 V
Idd,A: 2,9 A
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/12
JHGF: THT
auf Bestellung 72 St.:
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IRFU220B
Produktcode: 185591
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Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 200 V
Idd,A: 2,9 A
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/12
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IRFU220PBF IRFU220PBF Vishay Semiconductors sihfr220.pdf MOSFETs TO251 200V 4.8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+1.28 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.69 EUR
6000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFU220PBF IRFU220PBF Vishay Siliconix sihfr220.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
auf Bestellung 3030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.34 EUR
75+1.52 EUR
150+1.36 EUR
525+1.15 EUR
1050+1.05 EUR
2025+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFU220PBF IRFU220PBF VISHAY VISH-S-A0013857036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO251 200V 4.8A N-CH MOSFET
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AnzahlPreis
2+1.69 EUR
10+1.28 EUR
500+1.09 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
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IRFU220PBF VISH-S-A0013857036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
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