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IRFU3607PBF

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Produktcode: 191828
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFU3607PBF IRFU3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3607pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.36 EUR
75+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Infineon Technologies irfr3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631463620a7 Description: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.09 EUR
75+1.09 EUR
150+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3607_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.12 EUR
10+2.64 EUR
100+1.8 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.35 EUR
3000+1.28 EUR
6000+1.22 EUR
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF INFINEON irfr3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631463620a7 Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFU3607PBF Infineon irfr3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631463620a7 Транзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 140Вт; IPAK Транзистори
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFU3607PBF irfr3607pbf.pdf
IRFU3607PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 126 Stücke:
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IRFU3607PBF irfr3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631463620a7
IRFU3607PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
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IRFU3607PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
auf Bestellung 963 Stücke:
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10+2.64 EUR
100+1.8 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.35 EUR
3000+1.28 EUR
6000+1.22 EUR
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IRFU3607PBF irfr3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631463620a7
IRFU3607PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFU3607PBF irfr3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631463620a7
Hersteller: Infineon
Транзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 140Вт; IPAK Транзистори
auf Bestellung 490 Stücke:
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IRFU024NPBF
Produktcode: 112197
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irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFU024NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
JHGF: THT
auf Bestellung 5 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DHS-15M VGA (KLS1-214-15-M-L)
Produktcode: 107002
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20120502132408kls1-214.pdf
DHS-15M VGA (KLS1-214-15-M-L)DHS-15M VGA (KLS1-214-15-M-L)
DHS-15M VGA (KLS1-214-15-M-L)DHS-15M VGA (KLS1-214-15-M-L)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Interface (außer USB, SATA)
Beschreibung: D-SUB гніздо на кабель 3-х рядн., 15 контактів, синій
Stecker oder Steckdose: Вилка
Anzahl, Kontakte: 15
Серія: DHS
Механічний монтаж: На провід
Орієнтація в просторі: Прямий
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet 06.10.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFH229FA (Photodiode)
Produktcode: 53499
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werxw7t584ci423w.pdf
SFH229FA (Photodiode)
Hersteller: Siemens
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Spektrum 0.5, nm: 730-1100 nm
Spektrum Pik, nm: 900
Zusätzlich: Photodiode 34 °
Тип: Фотодіод
auf Bestellung 560 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CDRH104RNP-221NC (220uH, ±30%, Idc=0.92А, Rdc max/typ=756/560 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida
Produktcode: 41266
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CDRH104R.pdf
CDRH104RNP-221NC (220uH, ±30%, Idc=0.92А, Rdc max/typ=756/560 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 220 uH
Genauigkeit: ±30%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 220uH, ±30%, Idc=0.92А, Rdc max/typ=756/560 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 10,0x10,2mm, h=3,8mm
Робочий струм, А: 0.92A
№ 7: 8504 50 20 90
auf Bestellung 71 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.6 EUR
10+0.48 EUR
100+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1512 St.
  • 25 St. - stock Köln
  • 1487 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
1+0.32 EUR
10+0.28 EUR
100+0.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH