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IRFU3607PBF

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Produktcode: 191828
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRFR3607-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Hersteller : Infineon Technologies irfr3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631463620a7 Description: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Hersteller : INFINEON irfr3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631463620a7 Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRFU3607PBF Hersteller : Infineon irfr3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631463620a7 Транзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 140Вт; IPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRFU024NPBF
Produktcode: 112197
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irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFU024NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
JHGF: THT
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DHS-15M VGA (KLS1-214-15-M-L)
Produktcode: 107002
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20120502132408kls1-214.pdf
DHS-15M VGA (KLS1-214-15-M-L)
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Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Interface (außer USB, SATA)
Beschreibung: D-SUB гніздо на кабель 3-х рядн., 15 контактів, синій
Stecker oder Steckdose: Вилка
Anzahl, Kontakte: 15
Серія: DHS
Механічний монтаж: На провід
Орієнтація в просторі: Прямий
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SFH229FA (Photodiode)
Produktcode: 53499
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werxw7t584ci423w.pdf
SFH229FA (Photodiode)
Hersteller: Siemens
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Spektrum 0.5, nm: 730-1100 nm
Spektrum Pik, nm: 900
Zusätzlich: Photodiode 34 °
Тип: Фотодіод
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CDRH104RNP-221NC (220uH, ±30%, Idc=0.92А, Rdc max/typ=756/560 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida
Produktcode: 41266
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CDRH104R.pdf
CDRH104RNP-221NC (220uH, ±30%, Idc=0.92А, Rdc max/typ=756/560 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 220 uH
Genauigkeit: ±30%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 220uH, ±30%, Idc=0.92А, Rdc max/typ=756/560 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 10,0x10,2mm, h=3,8mm
Робочий струм, А: 0.92A
№ 7: 8504 50 20 90
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1607 St.
25 St. - stock Köln
1582 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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