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IRFU3607PBF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3607pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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53+1.62 EUR
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3607_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
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1+4.9 EUR
10+3.14 EUR
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500+1.82 EUR
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF INFINEON INFN-S-A0012838516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm
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40+6.25 EUR
76+3.06 EUR
100+2.19 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRFU3607PBF Infineon Транзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 140Вт; IPAK Транзистори
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IRFU3607PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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500+1.38 EUR
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IRFU3607PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 126 Stücke:
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75+1.31 EUR
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MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
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100+2.14 EUR
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IRFU3607PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm
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76+3.06 EUR
100+2.19 EUR
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IRFU3607PBF infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRFU3607PBF
Hersteller: Infineon
Транзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 140Вт; IPAK Транзистори
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LED 3mm blau 470nm, 40° (JH-323CB4C38- Ledguhon)
Produktcode: 194382
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LED 3mm blau 470nm, 40° (JH-323CB4C38- Ledguhon)
Hersteller: Ledguhon
LEDs > LEDs sichtbare Spektrum Ausführungs-
Farbe (Wellenlänge): blau
Gehäuse / Abmessungen: 3 мм
Linse, Typ: klar
Spannungsfall, V: 2,8...3,4 В
Lichtstärke / Lichtstrom: 3000 mcd
Abstrahlwinkel: 30°
Form: Rund
Wellenlänge / Farbtemperatur: 465 нм
erwartet: 500 St.
  • 500 St. - erwartet 05.08.2026
auf Bestellung: 791 St.
  • 791 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFH229FA (Fotodiode)
Produktcode: 53499
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werxw7t584ci423w.pdf
SFH229FA (Fotodiode)
Hersteller: Siemens
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Spektralbereich 0.5, nm: 730-1100 нм
Spektrales Maximum, nm: 900 nm
Zusätzlich: Fotodiode 34°, 3 mm
Typ: Fotodiode
auf Bestellung: 550 St.
  • 550 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.77 EUR
100+0.7 EUR
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Jumper, Jumper В (JUMPER-BZ)
Produktcode: 22288
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jumper.pdf
Jumper, Jumper В (JUMPER-BZ)
Hersteller: CviLux
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Funktionsbeschreibung: Jumper IDC geschlossen 2.54mm, schwarz
Stifte oder Buchsen: Jumper
Rastermaß: 2,54 mm
Anzahl Kontakte: 2
verfügbar: 1464 St.
  • 1464 St. - stock Köln
erwartet: 8000 St.
  • 8000 St. - erwartet 26.07.2026
auf Bestellung: 3 St.
  • 3 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
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100+0.043 EUR
1000+0.036 EUR
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