IRFU3607PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFU3607PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.00734 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFU3607PBF nach Preis ab 0.75 EUR bis 2.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFU3607PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 1890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU3607PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 1897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU3607PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRFU3607PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 1772 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU3607PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg |
auf Bestellung 11080 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU3607PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU3607PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.00734 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU3607PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRFU3607PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRFU3607PBF Produktcode: 191828
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFU3607PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK Case: IPAK Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFU3607PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK Case: IPAK Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
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