IRFU4105ZPBF

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Produktcode: 43658
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Technische Details IRFU4105ZPBF

  • MOSFET, N, I-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:30A
  • On State Resistance:0.00245ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:I-PAK
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:TO-251
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Length:9.65mm
  • Lead Spacing:2.28mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:48W
  • Power Dissipation Pd:48W
  • Pulse Current Idm:120A
  • SMD Marking:IRFU4105ZPBF
  • Turn Off Time, t Off:26ns
  • Turn On Time, t On:10ns
  • Transistor Case Style:I-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFU4105ZPBF IRFU4105ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr4105zpbf-1227544.pdf MOSFET MOSFT 55V 30A 24.5mOhm 18nC Qg
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IRFU4105ZPBF IRFU4105ZPBF Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS11267-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU4105ZPBF - IRFU4105 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2384 Stücke:
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IRFU4105ZPBF Hersteller : International Rectifier irfr4105zpbf.pdf MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRFU4105ZPBF IRFU4105ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr4105zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356321faf20ee Description: MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
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