Technische Details IRFU48Z IR
Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: I-Pak, Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V, Drain-Strom Idd, A: 42 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 11 mOhm, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1720/40, Montage: THT.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IRFU48Z Produktcode: 99522
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IR |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: I-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 42 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 11 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1720/40 Montage: THT |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 11 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1720/40
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 11 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1720/40
Montage: THT
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