IRFU5410PBF
Produktcode: 124333
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRFU5410PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU5410PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU5410PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 11312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU5410PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 2220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU5410PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 3335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU5410PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 13A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU5410PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38.7nC |
auf Bestellung 5827 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU5410PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU5410PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2568 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFU5410PBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
IRFU5410PBF |
auf Bestellung 268395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFU5410PBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
IRFU5410PBF |
auf Bestellung 12225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFU5410PBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
IRFU5410PBF |
auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFU5410PBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
IRFU5410PBF |
auf Bestellung 825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFU5410PBF | Hersteller : International Rectifier |
MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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