IRFU9024NPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFU9024NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFU9024NPBF - MOSFET, P-KANAL, -55V, -11A, I-PAK, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRFU9024NPBF nach Preis ab 0.32 EUR bis 2.27 EUR
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 12.7nC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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| IRFU9024NPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU9024NPBF - MOSFET, P-KANAL, -55V, -11A, I-PAK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
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| IRFU9024NPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 11 А; Ptot, Вт = 38; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25; Qg, нКл = 19 @ 10 В; Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK |
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IRFU9024NPBF Produktcode: 31708
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Hersteller : IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: I-Pak Uds,V: 55 Id,A: 11 Rds(on),Om: 0.175 Ciss, pF/Qg, nC: 350/19 /: THT |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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