IRFU9024NPBF
Produktcode: 31708
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
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Technische Details IRFU9024NPBF IR
- MOSFET, P, -55V, -11A, I-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:-55V
- Cont Current Id:11A
- On State Resistance:0.175ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
- Typ Voltage Vgs th:-4V
- Case Style:I-PAK
- Termination Type:Through Hole
- Alternate Case Style:I-PAK
- Current Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:3.3`C/W
- Max Voltage Vds:55V
- Power Dissipation:38W
- Power Dissipation Pd:38W
- Pulse Current Idm:44A
- SMD Marking:IRFU 9024N
- Turn Off Time, t Off:23ns
- Turn On Time, t On:13ns
- Transistor Case Style:I-PAK
Weitere Produktangebote IRFU9024NPBF nach Preis ab 0.36 EUR bis 2.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 34848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 1302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 5912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 12.7nC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 1687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC |
auf Bestellung 9310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 34879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU9024NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 777 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFU9024NPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: I-PAK Од. в Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 21 Stücke: |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFU9024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFU9024NPBF | Hersteller : International Rectifier |
IPAK=TO-251 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |