IRFU9024NPBF
Produktcode: 31708
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
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Technische Details IRFU9024NPBF IR
- MOSFET, P, -55V, -11A, I-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:-55V
- Cont Current Id:11A
- On State Resistance:0.175ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
- Typ Voltage Vgs th:-4V
- Case Style:I-PAK
- Termination Type:Through Hole
- Alternate Case Style:I-PAK
- Current Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:3.3`C/W
- Max Voltage Vds:55V
- Power Dissipation:38W
- Power Dissipation Pd:38W
- Pulse Current Idm:44A
- SMD Marking:IRFU 9024N
- Turn Off Time, t Off:23ns
- Turn On Time, t On:13ns
- Transistor Case Style:I-PAK
Weitere Produktangebote IRFU9024NPBF nach Preis ab 0.36 EUR bis 3.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 5912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 1302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 18042 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 39296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 39302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 12.7nC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 1677 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC |
auf Bestellung 9290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU9024NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU9024NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 38W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm |
auf Bestellung 599 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 97 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFU9024NPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Очікується: 5 Од. вAnzahl je Verpackung: 75 Stücke |
verfügbar 21 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFU9024NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 5912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 792+ | 0.69 EUR |
| 1000+ | 0.63 EUR |
| IRFU9024NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 792+ | 0.69 EUR |
| 1000+ | 0.63 EUR |
| IRFU9024NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 18042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 176+ | 0.84 EUR |
| 188+ | 0.77 EUR |
| 222+ | 0.64 EUR |
| 525+ | 0.57 EUR |
| 1050+ | 0.56 EUR |
| 2025+ | 0.5 EUR |
| 5025+ | 0.47 EUR |
| IRFU9024NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 39296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 170+ | 0.86 EUR |
| 183+ | 0.79 EUR |
| 219+ | 0.64 EUR |
| 525+ | 0.58 EUR |
| 1050+ | 0.56 EUR |
| 2025+ | 0.51 EUR |
| 5025+ | 0.47 EUR |
| 10050+ | 0.46 EUR |
| IRFU9024NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 39302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 169+ | 0.87 EUR |
| 182+ | 0.77 EUR |
| 219+ | 0.62 EUR |
| 525+ | 0.55 EUR |
| 1050+ | 0.52 EUR |
| 2025+ | 0.46 EUR |
| 5025+ | 0.41 EUR |
| 10050+ | 0.4 EUR |
| IRFU9024NPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 67+ | 1.07 EUR |
| 99+ | 0.73 EUR |
| 118+ | 0.61 EUR |
| 142+ | 0.51 EUR |
| 161+ | 0.45 EUR |
| 375+ | 0.39 EUR |
| 525+ | 0.38 EUR |
| 750+ | 0.37 EUR |
| 1050+ | 0.36 EUR |
| IRFU9024NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC
MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC
auf Bestellung 9290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.87 EUR |
| 10+ | 1.78 EUR |
| 100+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| 1000+ | 0.78 EUR |
| 3000+ | 0.71 EUR |
| 6000+ | 0.63 EUR |
| IRFU9024NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 6325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.98 EUR |
| 75+ | 1.8 EUR |
| 150+ | 1.62 EUR |
| 525+ | 1.36 EUR |
| 1050+ | 1.25 EUR |
| 2025+ | 1.16 EUR |
| 5025+ | 1.06 EUR |
| IRFU9024NPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU9024NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
Description: INFINEON - IRFU9024NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFU9024NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFU9024NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFU9024NPBF |
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Очікується: 5 Од. в
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Очікується: 5 Од. в
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 21 Stücke:







