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IRFU9024PBF

IRFU9024PBF Vishay

sihfr902.pdf
Produktcode: 49504
Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-252
Uds,V: 60
Id,A: 8.8
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Hersteller : Vishay sihfr902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Hersteller : Vishay sihfr902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEA267C278469&compId=IRFU9024PBF.pdf?ci_sign=8afab3af225b019e1d8b9238ed3e2d9bd4250c04 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Case: IPAK; TO251
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Kind of package: tube
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEA267C278469&compId=IRFU9024PBF.pdf?ci_sign=8afab3af225b019e1d8b9238ed3e2d9bd4250c04 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Case: IPAK; TO251
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.28Ω
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Hersteller : Vishay sihfr902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Hersteller : Vishay sihfr902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Hersteller : Vishay sihfr902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihfr902.pdf MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfr902.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013857049-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Hersteller : Vishay sihfr902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU9024PBF sihfr902.pdf IRFU9024PBF Транзисторы HEXFET
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF
Produktcode: 195135
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Hersteller : JSMICRO sihfr902.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
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IRLML5203TRPBF
Produktcode: 25596
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irlml5203pbf-datasheet.pdf
IRLML5203TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3
Rds(on),Om: 0.098
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
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10+0.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF
Produktcode: 31477
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description irf9z34npbf-datasheet.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR9120N
Produktcode: 57603
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description irfr9120n-datasheet.pdf
IRFR9120N
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Id,A: 6.6
Rds(on),Om: 480
Ciss, pF/Qg, nC: 350/27
/: SMD
verfügbar: 350 Stück
6 Stück - stock Köln
344 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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P6KE15A
Produktcode: 24819
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P6KE6.8-200 series.pdf
P6KE15A
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600
U Durchbruch: 15
n: 12,8 V
n: 1 µA
n: Односпрямований
Монтаж: THT
auf Bestellung 2898 Stück:
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10+0.16 EUR
100+0.1 EUR
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PIC16F690-I/SO
Produktcode: 28365
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40001262F.pdf
PIC16F690-I/SO
Hersteller: Microchip
IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: SOIC-20
Kurzbeschreibung: 8-bit Mikrokontroller with 7KB,20MHz
Strom, V: 2,0...5,5V
Betriebstemperatur, °С: -40…+85°C
Austauschbar: 8-Bit
Bemerkung: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
auf Bestellung 229 Stück:
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