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IRFU9024PBF

IRFU9024PBF SILI

sihfr902.pdf
Produktcode: 49504
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Hersteller: SILI
Gehäuse: TO-252
Uds,V: 60
Id,A: 8.8
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFU9024PBF IRFU9024PBF Vishay sihfr902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1247 Stücke:
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249+0.59 EUR
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Vishay sihfr902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF VISHAY IRFU9024PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 799 Stücke:
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48+1.52 EUR
66+1.08 EUR
75+0.97 EUR
150+0.91 EUR
525+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Vishay sihfr902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Vishay sihfr902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Vishay sihfr902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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2025+0.84 EUR
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Vishay sihfr902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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1050+0.8 EUR
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Vishay Semiconductors sihfr902.pdf MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF Vishay Siliconix sihfr902.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
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IRFU9024PBF IRFU9024PBF VISHAY VISH-S-A0013857049-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
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IRFU9024PBF sihfr902.pdf IRFU9024PBF Транзисторы HEXFET
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IRFU9024PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU9024PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU9024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 799 Stücke:
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48+1.52 EUR
66+1.08 EUR
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IRFU9024PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 91 Stücke:
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 799 Stücke:
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IRFU9024PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 3146 Stücke:
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80+1.83 EUR
112+1.3 EUR
150+1.05 EUR
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1050+0.86 EUR
2025+0.84 EUR
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IRFU9024PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
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IRFU9024PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
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IRFU9024PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
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Lötdraht, 1mm, 10g, mit Flussmittel, bleihaltig, CYNEL FIOLKA Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø1.0, 10g
Produktcode: 25598
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description cynel.pdf
Lötdraht, 1mm, 10g, mit Flussmittel, bleihaltig, CYNEL FIOLKA Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø1.0, 10g
Hersteller: CYNEL
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Lötzinn mit Flussmittel
Beschreibung: Lötzinn für Weichlöten mit Flussmittel. Lötzinn: Sn60Pb40; Draht; 1,0mm; 0,01kg; Flussmittel: F-SW26; 2,5%; Schmelzpunkt: 190 °C
Gewicht/Volumen/Menge: 10 g
Durchmesser: 1 mm
Legierungszusammensetzung: Sn60Pb40
Schmelzpunkt: 190°C
Lottyp: Bleihaltig
auf Bestellung 991 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79-B10
Produktcode: 57488
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BZX79.pdf
BZX79-B10
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 10
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 6.4mV/K
verfügbar: 5264 St.
  • 290 St. - stock Köln
  • 4974 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.025 EUR
1000+0.015 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856B
Produktcode: 2029
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BC856,857.pdf
BC856B
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 65
U, V: 80
I, А: 0.1
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 2027 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.04 EUR
10+0.034 EUR
100+0.022 EUR
1000+0.018 EUR
10000+0.015 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano)
Produktcode: 1933
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ECR_081225.pdf
1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 10V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x14mm
Lebensdauer: 8х14mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 60 St.
    erwartet: 10000 St.
    • 10000 St. - erwartet 29.10.2026
    AnzahlPreis
    1+0.08 EUR
    10+0.06 EUR
    100+0.046 EUR
    1000+0.041 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
    Produktcode: 1768
    4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		RC_series.pdf
    1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
    Hersteller: Hitano
    Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
    Resistenz: 1 kOhm
    Präzision: ±5% J
    P Nenn.,W: 0,125W
    U Betriebs.,V: 150V
    Größe Typ: 0805
    auf Bestellung 55347 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPreis
    10+0.0038 EUR
    100+0.0024 EUR
    1000+0.0017 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 St.
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH