IRFU9024PBF SILI
Produktcode: 49504
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Lieblingsprodukt
Hersteller: SILI
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 8,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 570/19
Montage: THT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.63 EUR |
| 100+ | 0.57 EUR |
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Möglichen Substitutionen IRFU9024PBF SILI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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IRFU9024PBF Produktcode: 195135
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Lieblingsprodukt
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VBSEMI |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-251 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Id, A: 8,8 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 570/19 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 600 St.
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| IRFU9024PBF Produktcode: 195135
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: VBSEMI
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Id, A: 8,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 570/19
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Id, A: 8,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 570/19
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 600 St.
- 600 St. - erwartet 13.08.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.63 EUR |
| 100+ | 0.57 EUR |
Weitere Produktangebote IRFU9024PBF nach Preis ab 0.55 EUR bis 5.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 1247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 1247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 3146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 3164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp |
auf Bestellung 3854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU9024PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
auf Bestellung 2524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9024PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AAPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFU9024PBF |
IRFU9024PBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 249+ | 0.7 EUR |
| 259+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.61 EUR |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 237+ | 0.74 EUR |
| 249+ | 0.68 EUR |
| 259+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 84+ | 2.07 EUR |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 82+ | 2.13 EUR |
| 92+ | 1.88 EUR |
| 150+ | 1.73 EUR |
| 525+ | 1.49 EUR |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 3146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 80+ | 2.18 EUR |
| 112+ | 1.55 EUR |
| 150+ | 1.25 EUR |
| 525+ | 1.06 EUR |
| 1050+ | 1.02 EUR |
| 2025+ | 1 EUR |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 3164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 80+ | 2.19 EUR |
| 111+ | 1.51 EUR |
| 150+ | 1.2 EUR |
| 525+ | 1 EUR |
| 1050+ | 0.95 EUR |
| 2025+ | 0.89 EUR |
| IRFU9024PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 2.26 EUR |
| 64+ | 1.33 EUR |
| 75+ | 1.14 EUR |
| 150+ | 1.08 EUR |
| 525+ | 0.95 EUR |
| IRFU9024PBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
auf Bestellung 3854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.56 EUR |
| 10+ | 1.83 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| IRFU9024PBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
Description: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 2524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 4.65 EUR |
| 95+ | 2.46 EUR |
| 128+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.25 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| IRFU9024PBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
auf Bestellung 1838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.05 EUR |
| 75+ | 2.32 EUR |
| 150+ | 2.11 EUR |
| 525+ | 1.78 EUR |
| 1050+ | 1.64 EUR |
| IRFU9024PBF |
![]() |
IRFU9024PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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| Drahtlot, 1mm, 10g, mit Flussmittel, bleihaltig, CYNEL FIOLKA Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø1.0, 10g Produktcode: 25598
11
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: CYNEL
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Lot mit Flussmittel
Beschreibung: Weichlot mit Flussmittel. Lot: Sn60Pb40; Draht; 1.0mm; 0.01kg; Flussmittel: F-SW26; 2.5%; Schmelzpunkt: 190 °C
Gewicht/Volumen/Menge: 10 g
Durchmesser: 1 mm
Legierungszusammensetzung: Sn60Pb40
Schmelzpunkt: 190°С
Lottyp: Bleihaltig
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Lot mit Flussmittel
Beschreibung: Weichlot mit Flussmittel. Lot: Sn60Pb40; Draht; 1.0mm; 0.01kg; Flussmittel: F-SW26; 2.5%; Schmelzpunkt: 190 °C
Gewicht/Volumen/Menge: 10 g
Durchmesser: 1 mm
Legierungszusammensetzung: Sn60Pb40
Schmelzpunkt: 190°С
Lottyp: Bleihaltig
erwartet: 600 St.
- 600 St. - erwartet 27.08.2026
auf Bestellung: 164 St.
- 164 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.94 EUR |
| 10+ | 2.67 EUR |
| 100+ | 2.45 EUR |
| BZX79-B10 Produktcode: 57488
2
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 10 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 6,4 mV/K
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 10 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 6,4 mV/K
verfügbar: 290 St.
- 290 St. - stock Köln
auf Bestellung: 4974 St.
- 4974 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.079 EUR |
| 10+ | 0.051 EUR |
| 100+ | 0.039 EUR |
| 1000+ | 0.027 EUR |
| BC856B Produktcode: 2029
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 65 V
Spannung Ucb, V: 80 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 65 V
Spannung Ucb, V: 80 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung: 2005 St.
- 2005 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.058 EUR |
| 10+ | 0.04 EUR |
| 100+ | 0.031 EUR |
| 1000+ | 0.024 EUR |
| 10000+ | 0.019 EUR |
| 1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano) (Elektrolytkondensator) Produktcode: 1933
4
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 10 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x14 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 10 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x14 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 60 St.
- 60 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
- 10000 St. - erwartet 29.08.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.14 EUR |
| 10+ | 0.12 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.09 EUR |
| 1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD) Produktcode: 1768
3
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 1 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 1 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
erwartet: 100000 St.
- 100000 St. - erwartet
auf Bestellung: 50447 St.
- 50447 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.0045 EUR |
| 1000+ | 0.0036 EUR |
| 10000+ | 0.0027 EUR |












