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IRFU9210


Hersteller: IR
TO-251
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Technische Details IRFU9210 IR

Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote IRFU9210 nach Preis ab 0.76 EUR bis 0.94 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFU9210 IRFU9210
Produktcode: 77978
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IR 91281tg453d4d.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 1,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,0 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/8,9
Anmerkung: MOSFET
Montage: THT
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IRFU9210 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 1,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,0 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/8,9
Anmerkung: MOSFET
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Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
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MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
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