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Technische Details IRFU9220PBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFU9220PBF nach Preis ab 1.26 EUR bis 4.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFU9220PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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IRFU9220PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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IRFU9220PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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IRFU9220PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO251 200V 3.6A P-CH MOSFET |
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| IRFU9220PBF | Hersteller : VISHAY |
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IRFU9220PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFU9220PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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| IRFU9220PBF | Hersteller : VISHAY |
IRFU9220PBF THT P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFU9220PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
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