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IRFU9310PBF

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Produktcode: 73659
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFU9310PBF IRFU9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2667 Stücke:
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124+1.43 EUR
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1050+1.05 EUR
2025+0.98 EUR
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IRFU9310PBF IRFU9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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150+1.3 EUR
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150+1.25 EUR
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1050+0.99 EUR
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IRFU9310PBF IRFU9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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71+2.49 EUR
98+1.78 EUR
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525+1.3 EUR
1050+1.18 EUR
2025+1.08 EUR
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IRFU9310PBF IRFU9310PBF Vishay Semiconductors sihfr931.pdf MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
auf Bestellung 20996 Stücke:
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1+4.33 EUR
10+2.09 EUR
100+1.37 EUR
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IRFU9310PBF IRFU9310PBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
75+2.06 EUR
150+1.86 EUR
525+1.57 EUR
1050+1.44 EUR
2025+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFU9310PBF IRFU9310PBF VISHAY VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1427 Stücke:
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55+4.62 EUR
78+3 EUR
133+1.61 EUR
136+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IRFU9310PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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AnzahlPrivatkunde
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AnzahlPrivatkunde
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MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
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Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA
Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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