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Technische Details IRFUC20PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRFUC20PBF nach Preis ab 0.59 EUR bis 2.18 EUR
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IRFUC20PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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IRFUC20PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251 Case: IPAK; TO251 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A On-state resistance: 4.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFUC20PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251 Case: IPAK; TO251 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A On-state resistance: 4.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
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IRFUC20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 4661 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFUC20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 4644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFUC20PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp |
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IRFUC20PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2842 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFUC20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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IRFUC20PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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IRFUC20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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IRFUC20PBF Produktcode: 25612
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFUC20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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