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IRFUC20PBF

sihfrc20.pdf
Produktcode: 25612
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Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRFUC20PBF

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transist

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Vishay sihfrc20.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
424+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 424 Stücke
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IRFUC20PBF IRFUC20PBF VISHAY IRFRC20TRPBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.74 EUR
62+1.38 EUR
75+1.3 EUR
150+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFUC20PBF IRFUC20PBF Vishay sihfrc20.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.09 EUR
107+1.63 EUR
150+1.56 EUR
525+1.5 EUR
1050+1.46 EUR
2025+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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IRFUC20PBF IRFUC20PBF Vishay sihfrc20.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.09 EUR
107+1.59 EUR
150+1.49 EUR
525+1.42 EUR
1050+1.34 EUR
2025+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Vishay sihfrc20.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.28 EUR
83+2.12 EUR
150+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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IRFUC20PBF IRFUC20PBF VISHAY VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
auf Bestellung 2881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
97+2.42 EUR
123+1.75 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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IRFUC20PBF IRFUC20PBF Vishay Semiconductors sihfrc20.pdf description MOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp
auf Bestellung 4558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.28 EUR
100+1.87 EUR
500+1.74 EUR
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IRFUC20PBF IRFUC20PBF Vishay sihfrc20.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.01 EUR
75+2.73 EUR
150+2.38 EUR
525+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRFUC20PBF IRFUC20PBF Vishay Siliconix sihfrc20.pdf description Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 2529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.28 EUR
75+2.95 EUR
150+2.68 EUR
525+2.28 EUR
1050+2.12 EUR
2025+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFUC20PBF description sihfrc20.pdf
IRFUC20PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
424+0.42 EUR
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IRFUC20PBF description IRFRC20TRPBF.pdf
IRFUC20PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.74 EUR
62+1.38 EUR
75+1.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFUC20PBF description sihfrc20.pdf
IRFUC20PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+2.09 EUR
107+1.63 EUR
150+1.56 EUR
525+1.5 EUR
1050+1.46 EUR
2025+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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IRFUC20PBF description sihfrc20.pdf
IRFUC20PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+2.09 EUR
107+1.59 EUR
150+1.49 EUR
525+1.42 EUR
1050+1.34 EUR
2025+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFUC20PBF description sihfrc20.pdf
IRFUC20PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
78+2.28 EUR
83+2.12 EUR
150+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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IRFUC20PBF description VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFUC20PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
auf Bestellung 2881 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
61+4.12 EUR
97+2.42 EUR
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IRFUC20PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp
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AnzahlPrivatkunde
1+4.33 EUR
10+2.28 EUR
100+1.87 EUR
500+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFUC20PBF description sihfrc20.pdf
IRFUC20PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+6.01 EUR
75+2.73 EUR
150+2.38 EUR
525+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRFUC20PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 2529 Stücke:
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4+6.28 EUR
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