IRFZ14 Siliconix
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 10A 60V 43W 0.20Ω IRFZ14 IRFZ14 TIRFZ14
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Technische Details IRFZ14 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| IRFZ14 |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IRFZ14 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
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IRFZ14 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFZ |
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