IRFZ14PBF VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 940 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 77+ | 0.93 EUR |
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Technische Details IRFZ14PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFZ14PBF nach Preis ab 0.44 EUR bis 1.41 EUR
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IRFZ14PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.2A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFZ14PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A |
auf Bestellung 2728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFZ14PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 48321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFZ14PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ14PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ14PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ14PBF Produktcode: 39866
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 45 Idd,A: 10 Rds(on), Ohm: 01.02.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.300 JHGF: THT |
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IRFZ14PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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