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| Anzahl | Preis |
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| 109+ | 1.35 EUR |
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Technische Details IRFZ34PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFZ34PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.05 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.
Weitere Produktangebote IRFZ34PBF nach Preis ab 1.37 EUR bis 2.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IRFZ34PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFETs TO220 N CHAN 60V |
auf Bestellung 19079 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFZ34PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFZ34PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.05 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
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IRFZ34PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFZ34PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
TO-220-3 |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |