IRFZ44EPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFZ44EPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFZ44EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFZ44EPBF nach Preis ab 0.7 EUR bis 3.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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IRFZ44EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1058 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ44EPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ44EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFZ44EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFZ44EPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFZ44EPBF THT N channel transistors |
auf Bestellung 668 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFZ44EPBF | Hersteller : IR |
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=60V; Id=48A; Pdmax=110W; Rds=0,023 Ohm |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ44EPBF Produktcode: 66761
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFZ44EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFZ44EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC |
Produkt ist nicht verfügbar |