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IRFZ44ZPBF

IRFZ44ZPBF

irfz44zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b6a15221c
Produktcode: 40288
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 51
Rds(on), Ohm: 0.0139
Ciss, pF/Qg, nC: 1420/29
JHGF: THT
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Technische Details IRFZ44ZPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 51A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:51A
  • On State Resistance:0.0139ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.87`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:13.9ohm
  • Power Dissipation:80W
  • Power Dissipation Pd:80W
  • Pulse Current Idm:200A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFZ44ZPBF IRFZ44ZPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFZ44Z_DataSheet_v01_01_EN-3363287.pdf MOSFETs MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC Qg
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IRFZ44ZPBF IRFZ44ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz44z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44ZPBF IRFZ44ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irfz44zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ44ZPBF IRFZ44ZPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0139 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFZ44ZPBF IRFZ44ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irfz44zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b6a15221c Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
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1771 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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description STP55NF06_.pdf
STP55NF06
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Uds,V: 60
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.018
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/44
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Lichtwinkel: 60°
Analogon: Кругла
ZCODE: 8541401000
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IRF4905PBF
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
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auf Bestellung 4515 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 211 Stück:
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