Technische Details IRFZ48NS IR
Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: D2PAK (TO-263), Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V, Drain-Strom Idd, A: 64 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2200/85, Montage: SMD.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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IRFZ48NS Produktcode: 32184
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 64 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2200/85 Montage: SMD |
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| IRFZ48NS Produktcode: 32184
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 64 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2200/85
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 64 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2200/85
Montage: SMD
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