IRFZ48NSPBF
Produktcode: 113427
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1970/81
JHGF: SMD
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Technische Details IRFZ48NSPBF IR
- MOSFET, N, D2-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:64A
- On State Resistance:0.014ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:D2-PAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D2-PAK
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:700mJ
- Max Voltage Vds:55V
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- Power Dissipation:130W
- Power Dissipation Pd:130W
- Pulse Current Idm:210A
- SMD Marking:Z48NS
- Typ Capacitance Ciss:1970pF
- Typ Reverse Recovery Time, trr:100ns
- Transistor Case Style:D2-PAK
Weitere Produktangebote IRFZ48NSPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ48NSPBF | International Rectifier |
 Транзистори |
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 |
IRFZ48NSPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
IRFZ48NSPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 54nC |
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| IRFZ48NSPBF |
|
Hersteller: International Rectifier
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| IRFZ48NSPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
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| IRFZ48NSPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 54nC
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 54nC
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