IRG4BC20FDPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRG4BC20FDPBF Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 16A 60W TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 37 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A, Supplier Device Package: TO-220AB, Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns, Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off), Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V, Gate Charge: 27 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A, Power - Max: 60 W.
Weitere Produktangebote IRG4BC20FDPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRG4BC20FDPBF | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRG4BC20FDPBF - IRG4BC20 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALLtariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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IRG4BC20FDPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRG4BC20FDPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 16A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A Power - Max: 60 W |
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IRG4BC20FDPBF | Hersteller : Infineon / IR |
IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz |
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