Technische Details IRG4BC30FD-SPBF Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns, Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off), Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 51 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 31 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A, Power - Max: 100 W.
Weitere Produktangebote IRG4BC30FD-SPBF nach Preis ab 3.19 EUR bis 3.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IRG4BC30FD-SPBF | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRG4BC30FD-SPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 3.44 EUR |
| 51+ | 3.19 EUR |


