IRG4BC30FDPBF Infineon
Produktcode: 102047
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,59 V
Ic 25: 31 A
Ic 100: 17 A
Pd 25: 100 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 42/230
ZCODE: 8541290010
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Technische Details IRG4BC30FDPBF Infineon
- IGBT, 600V, 31A, TO-220
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:600V
- Max Current Ic Continuous a:31A
- Max Voltage Vce Sat:1.9V
- Power Dissipation:100W
- Case Style:TO-220
- Termination Type:Through Hole
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
- Current Temperature:25`C
- Device Marking:IRG4BC30FDPBF
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Fall Time:160ns
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:100W
- Pulsed Current Icm:120A
- Rise Time:26ns
Weitere Produktangebote IRG4BC30FDPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRG4BC30FDPBF | International Rectifier |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
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 |
IRG4BC30FDPBF | Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 31A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A Power - Max: 100 W |
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 |
IRG4BC30FDPBF | Infineon Technologies |
IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz |
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| IRG4BC30FDPBF |
|
Hersteller: International Rectifier
Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
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| IRG4BC30FDPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 31A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns
Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off)
Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 51 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A
Power - Max: 100 W
Description: IGBT 600V 31A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns
Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off)
Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 51 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A
Power - Max: 100 W
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| IRG4BC30FDPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz
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