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IRG4BC30FDPBF

IRG4BC30FDPBF Infineon

irg4bc30fdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563fa7ab2271
Produktcode: 102047
Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,59 V
Ic 25: 31 A
Ic 100: 17 A
Pd 25: 100 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 42/230
ZCODE: 8541290010
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Technische Details IRG4BC30FDPBF Infineon

  • IGBT, 600V, 31A, TO-220
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • Max Current Ic Continuous a:31A
  • Max Voltage Vce Sat:1.9V
  • Power Dissipation:100W
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current Temperature:25`C
  • Device Marking:IRG4BC30FDPBF
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Fall Time:160ns
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:100W
  • Pulsed Current Icm:120A
  • Rise Time:26ns

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRG4BC30FDPBF IRG4BC30FDPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irg4bc30fd-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRG4BC30FDPBF IRG4BC30FDPBF Hersteller : INFINEON 1916241.pdf Description: INFINEON - IRG4BC30FDPBF - IGBT, 31 A, 1.9 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
Verlustleistung Pd: 100
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: IRG4
DC-Kollektorstrom: 31
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRG4BC30FDPBF IRG4BC30FDPBF Hersteller : Infineon Technologies irg4bc30fdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563fa7ab2271 Description: IGBT 600V 31A 100W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns
Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off)
Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 51 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A
Power - Max: 100 W
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IRG4BC30FDPBF IRG4BC30FDPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRG4BC30FD_DataSheet_v01_00_EN-1228397.pdf IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz
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