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IRG4BC30SPBF

IRG4BC30SPBF Infineon Technologies

infineonirg4bc30sdatasheetv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRG4BC30SPBF Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 34A TO-220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A, Supplier Device Package: TO-220AB, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns, Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off), Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 75 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 34 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A, Power - Max: 100 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRG4BC30SPBF IRG4BC30SPBF Infineon Technologies infineonirg4bc30sdatasheetv0100en.pdf description Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRG4BC30SPBF IRG4BC30SPBF International Rectifier IRSDS11001-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IGBT 600V 34A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns
Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off)
Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A
Power - Max: 100 W
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IRG4BC30SPBF IRG4BC30SPBF Infineon Technologies Infineon-IRG4BC30S-DataSheet-v01_00-EN-1227549.pdf description IGBT Transistors 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT
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Description: IGBT 600V 34A TO-220AB
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns
Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off)
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Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A
Power - Max: 100 W
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IGBT Transistors 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT
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