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IRG4BC40W-LPBF

IRG4BC40W-LPBF Infineon / IR

Infineon-IRG4BC40Wx-DataSheet-v01_00-EN-1228400.pdf Hersteller: Infineon / IR
IGBT Transistors 600V Warp 60-150kHz
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Technische Details IRG4BC40W-LPBF Infineon / IR

Description: IGBT 600V 40A TO-262, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-262, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns, Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off), Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 98 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 160 W.

Weitere Produktangebote IRG4BC40W-LPBF nach Preis ab 2.55 EUR bis 28.13 EUR

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IRG4BC40W-LPBF IRG4BC40W-LPBF Hersteller : International Rectifier irg4bc40wspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356434e5622a2 Description: IGBT 600V 40A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
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IRG4BC40W-LPBF Hersteller : International Rectifier HiRel Products irg4bc40wspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356434e5622a2 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160W 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IRG4BC40W-LPBF IRG4BC40W-LPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irg4bc40wx-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IRG4BC40W-LPBF IRG4BC40W-LPBF Hersteller : INFINEON 699523.pdf Description: INFINEON - IRG4BC40W-LPBF - IGBT, N-Kanal, 40 A, 2.36 V, 160 W, 600 V, TO-262, 3 Pin(s)
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.36
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-262
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRG4BC40W-LPBF IRG4BC40W-LPBF Hersteller : Infineon Technologies irg4bc40wspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356434e5622a2 Description: IGBT 600V 40A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
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IRG4BC40WLPBF Hersteller : Vishay IGBT Transistors
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