Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRG4BH20K-SPBF

IRG4BH20K-SPBF Infineon Technologies


Infineon-IRG4BH20K-S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356435f0322a7
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+4.66 EUR
45+3.8 EUR
100+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRG4BH20K-SPBF Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 11A D2PAK, Power - Max: 60 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 11 A, Gate Charge: 28 nC, Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V, Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns, Supplier Device Package: D2PAK, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.

Weitere Produktangebote IRG4BH20K-SPBF

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRG4BH20K-SPBF Infineon-IRG4BH20K-S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356435f0322a7 IRG4BH20K-SPBF Транзисторы
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4BH20K-SPBF Infineon-IRG4BH20K-S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356435f0322a7
IRG4BH20K-SPBF Транзисторы
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH