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IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor  IGBT 900V 51A 200W TO247AC

IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC


IRG4PF50WPBF.pdf
Produktcode: 32408
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,3
Ic 25: 55
Ic 100: 27
Pd 25: 200
auf Bestellung 119 Stück:

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Technische Details IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC IR


 IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor  IGBT 900V 51A 200W TO247AC

 

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

 

   Optimized for use in Welding and Switch-Mode Power Supply applications

   Industry benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies

   50% reduction of Eoff parameter

 

   Low IGBT conduction losses

 

  Latest technology IGBT design offers tighter parameter distribution coupled with exceptional reliability

 

Benefits

 • Lower switching losses allow more cost-effective operation and hence efficient replacement of larger-die MOSFETs up to 100kHz

   Of particular benefit in single-ended converters and Power Supplies 150W and higher

  Reduction in critical Eoff parameter due to minimal minority-carrier recombination coupled with low on-state losses allow maximum flexibility in device

 

 Absolute Maximum Ratings

 

 

Parameter

Max.

Units

 

 

 

 

VCES

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

900

V

IC @ TC = 25°C

Continuous Collector Current

51

 

IC @ TC = 100°C

Continuous Collector Current

28

A

ICM

Pulsed Collector Current

204

 

ILM

Clamped Inductive Load Current

204

 

VGE

Gate-to-Emitter Voltage

± 20

V

EARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

186

mJ

PD @ TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

200

W

PD @ TC = 100°C

Maximum Power Dissipation

78

 

TJ

Operating Junction and

-55 to + 150

 

TSTG

Storage Temperature Range

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (0.063 in. (1.6mm from case )

 

 

 

 

 

 

Produktcode 32408


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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 900
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 51
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRG4PF50WPBF IRG4PF50WPBF Hersteller : Infineon Technologies irg4pf50wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535647f7e32307 Description: IGBT 900V 51A 200W TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/110ns
Switching Energy: 190µJ (on), 1.06mJ (off)
Test Condition: 720V, 28A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 204 A
Power - Max: 200 W
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IRG4PF50WPBF IRG4PF50WPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRG4PF50W_DataSheet_v01_00_EN-1732781.pdf IGBT Transistors 900V Warp 20-100kHz
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