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IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC

Name: IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC
Brand: IR
SKU: 32408
Price: 3.98 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 32408

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,3
Ic 25: 55
Ic 100: 27
Pd 25: 200

auf Bestellung 62 Stück:

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Technische Details IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC IR

IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

• Optimized for use in Welding and Switch-Mode Power Supply applications

• Industry benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies

• 50% reduction of Eoff parameter

• Low IGBT conduction losses

• Latest technology IGBT design offers tighter parameter distribution coupled with exceptional reliability

Benefits

• Lower switching losses allow more cost-effective operation and hence efficient replacement of larger-die MOSFETs up to 100kHz

• Of particular benefit in single-ended converters and Power Supplies 150W and higher

• Reduction in critical Eoff parameter due to minimal minority-carrier recombination coupled with low on-state losses allow maximum flexibility in device

Absolute Maximum Ratings

	Parameter	Max.	Units

^VCES	Collector-to-Emitter Breakdown Voltage	900	V
I_C @ T_C = 25°C	Continuous Collector Current	51
I_C @ T_C = 100°C	Continuous Collector Current	28	A
^ICM	Pulsed Collector Current ➀	204
^ILM	Clamped Inductive Load Current ➁	204
^VGE	Gate-to-Emitter Voltage	± 20	V
^EARV	Reverse Voltage Avalanche Energy ➂	186	mJ
P_D @ T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	200	W
P_D @ T_C = 100°C	Maximum Power Dissipation	78	W
P_D @ T_C = 100°C	Maximum Power Dissipation	78
^TJ	Operating Junction and	-55 to + 150
^TSTG	Storage Temperature Range		°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (0.063 in. (1.6mm from case )

Produktcode 32408

Weitere Produktangebote IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IRG4PF50WPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRG4PF50WPBF	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IRG4PF50WPBF - IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 900 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 51 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRG4PF50WPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: IGBT 900V 51A TO-247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 29ns/110ns Switching Energy: 190µJ (on), 1.06mJ (off) Test Condition: 720V, 28A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Current - Collector (Ic) (Max): 51 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 204 A Power - Max: 200 W	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRG4PF50WPBF	Hersteller : Infineon Technologies	IGBTs 900V Warp 20-100kHz	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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CDRH6D38NP-220NC (22uH, ±20%, Idc=1.3A, Rdc max/typ=96/71 mOhm, SMD: 7.0x7.0mm, h=4.0mm) Sumida
Produktcode: 22610

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CDRH6D38NP-220NC (22uH, ±20%, Idc=1.3A, Rdc max/typ=96/71 mOhm, SMD: 7.0x7.0mm, h=4.0mm) Sumida

Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 22 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 22uH, ±20%, Idc=1.3A, Rdc max/typ=96/71 mOhm, SMD: 7.0x7.0mm, h=4.0mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 7,0x7,0mm, h=4,0mm
Робочий струм, А: 1.3A
№ 7: 8504 50 20 90

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22pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N220J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 37440

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22pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N220J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)

Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 22pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00

verfügbar: 12940 Stück

5990 Stück - stock Köln
6950 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

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100 kOhm 5% 1W 2512 (RC2512JK-100K-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 43107

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Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 100 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512

verfügbar: 2651 Stück

500 Stück - stock Köln
2151 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

Anzahl	Preis
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100+	0.02 EUR
1000+	0.02 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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47uF 25V E5R 6,3x5mm (E5R470M25B-Hitano)
Produktcode: 50450

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47uF 25V E5R 6,3x5mm (E5R470M25B-Hitano)

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 25V
Reihe: E5R-Ultraminiatur (Höhe 5mm)
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6,3x5mm
Lebensdauer: 6,3х5mm
8532 22 00 00

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HC49US8.000MHz (30pF, 30PPM) 8,0MHz
Produktcode: 75972

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Hersteller: Cinetech
Quarz- und keramische > Quarz- und keramische Resonatoren und Generatoren
Frequenz: 8 MHz
Gehäuse: HC-49/S-Kahn
Typ: Quarz Resonator
30 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: THT

auf Bestellung 807 Stück:

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erwartet 1000 Stück:

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