Technische Details IRG4PH20KDPBF Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 11A TO-247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 51 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-247AC, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/100ns, Switching Energy: 620µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 800V, 5A, 50Ohm, 15V, Gate Charge: 28 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 11 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A, Power - Max: 60 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IRG4PH20KDPBF | Infineon Technologies |
 Description: IGBT 1200V 11A TO-247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 51 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 50ns/100ns Switching Energy: 620µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 800V, 5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Power - Max: 60 W |
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IRG4PH20KDPBF | Infineon / IR |
IGBT Transistors 1200V UltraFast 4-20kHz |
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IRG4PH20KDPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 11A Power dissipation: 60W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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IRG4PH20KDPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PH20KDPBF - IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.17 DC-Kollektorstrom: 11 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 60 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| IRG4PH20KDPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 11A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 51 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/100ns
Switching Energy: 620µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 800V, 5A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 11 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A
Power - Max: 60 W
Description: IGBT 1200V 11A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 51 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/100ns
Switching Energy: 620µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 800V, 5A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 11 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A
Power - Max: 60 W
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| IRG4PH20KDPBF |
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Hersteller: Infineon / IR
IGBT Transistors 1200V UltraFast 4-20kHz
IGBT Transistors 1200V UltraFast 4-20kHz
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| IRG4PH20KDPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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| IRG4PH20KDPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PH20KDPBF - IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.17
DC-Kollektorstrom: 11
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4PH20KDPBF - IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.17
DC-Kollektorstrom: 11
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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