IRG4PH50KD China
Produktcode: 200971
Hersteller: ChinaGehäuse: TO-247AC
Vces: 1200 V
Vce: 2,77 V
Ic 25: 45 A
Ic 100: 24 A
Pd 25: 200 W
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Technische Details IRG4PH50KD China
- IGBT, TO-247
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N
- Max Current Ic Continuous a:45A
- Max Voltage Vce Sat:2.77V
- Power Dissipation:200W
- Case Style:TO-247
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Fall Time:300ns
- Min Short Circuit Withstand Time:10es
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulsed Current Icm:90A
- Rise Time:100ns
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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IRG4PH50KD Produktcode: 23471 |
Hersteller : IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247AC Vces: 1200 Vce: 2,77 Ic 25: 45 Ic 100: 24 Pd 25: 200 |
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