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IRG4PH50KD

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Produktcode: 23471
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,77 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
auf Bestellung 11 St.:
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Technische Details IRG4PH50KD IR

  • IGBT, TO-247
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N
  • Max Current Ic Continuous a:45A
  • Max Voltage Vce Sat:2.77V
  • Power Dissipation:200W
  • Case Style:TO-247
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Fall Time:300ns
  • Min Short Circuit Withstand Time:10es
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulsed Current Icm:90A
  • Rise Time:100ns

Möglichen Substitutionen IRG4PH50KD IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRG4PH50KD IRG4PH50KD
Produktcode: 200971
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China IRG4PH50KD.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,77 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 Вт
auf Bestellung 8 St.:
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IRG4PH50KD
Produktcode: 200971
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IRG4PH50KD
Hersteller: China
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,77 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 Вт
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRG4PH50KD International Rectifier irg4ph50kd.pdf description (IGBT+D,N-CH,1200V,24A,200W,TO-247AC) Транзистори
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Hersteller: International Rectifier
(IGBT+D,N-CH,1200V,24A,200W,TO-247AC) Транзистори
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auf Bestellung 139 St.:
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erwartet 1000 St.:
1000 St. - erwartet
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10+0.052 EUR
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