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IRG4PH50KD

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Produktcode: 23471
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Vces: 1200
Vce: 2,77
Ic 25: 45
Ic 100: 24
Pd 25: 200
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Technische Details IRG4PH50KD IR

  • IGBT, TO-247
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N
  • Max Current Ic Continuous a:45A
  • Max Voltage Vce Sat:2.77V
  • Power Dissipation:200W
  • Case Style:TO-247
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Fall Time:300ns
  • Min Short Circuit Withstand Time:10es
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulsed Current Icm:90A
  • Rise Time:100ns

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRG4PH50KD IRG4PH50KD
Produktcode: 200971
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China IRG4PH50KD.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Vces: 1200 V
Vce: 2,77 V
Ic 25: 45 A
Ic 100: 24 A
Pd 25: 200 W
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IRG4PH50KD
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IRG4PH50KD
Hersteller: China
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Vces: 1200 V
Vce: 2,77 V
Ic 25: 45 A
Ic 100: 24 A
Pd 25: 200 W
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRG4PH50KD International Rectifier irg4ph50kd.pdf description (IGBT+D,N-CH,1200V,24A,200W,TO-247AC) Транзистори
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Hersteller: International Rectifier
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Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
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P Nenn.,W: 3W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 15x5mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+200°C
auf Bestellung 139 St.:
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100+0.035 EUR
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