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IRG4RC10SDTRPBF Infineon / IR


irg4rc10sdpbf-1227951.pdf
Hersteller: Infineon / IR
IGBT Transistors 600V DC-1kHz
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Technische Details IRG4RC10SDTRPBF Infineon / IR

Description: IGBT 600V 14A TO-252AA, Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 14 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 15 nC, Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V, Switching Energy: 310µJ (on), 3.28mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 76ns/815ns, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A, Reverse Recovery Time (trr): 28 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 38 W, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRG4RC10SDTRPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRG4RC10SDTRPBF fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1183 Stücke:
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124+1.2 EUR
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