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IRG4RC10UTRPBF

IRG4RC10UTRPBF Infineon Technologies

irg4rc10upbf.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRG4RC10UTRPBF Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 8.5A TO-252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Td (on/off) @ 25°C: 19ns/116ns, Switching Energy: 80µJ (on), 160µJ (off), Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V, Gate Charge: 15 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 8.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 34 A, Power - Max: 38 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRG4RC10UTRPBF IRG4RC10UTRPBF Infineon Technologies IRG4RC10UPbF.pdf Description: IGBT 600V 8.5A TO-252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/116ns
Switching Energy: 80µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 15 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 34 A
Power - Max: 38 W
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IRG4RC10UTRPBF IRG4RC10UTRPBF Infineon Technologies IRG4RC10UPbF.pdf IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz
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Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/116ns
Switching Energy: 80µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 15 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8.5 A
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Power - Max: 38 W
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