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IRG7PH50K10D-EPBF Infineon Technologies


IRG7PH50K10D%28-E%29PbF.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 90A TO-247AD
Power - Max: 400 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Gate Charge: 300 nC
Test Condition: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.6mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/340ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
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Technische Details IRG7PH50K10D-EPBF Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 90A TO-247AD, Power - Max: 400 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Gate Charge: 300 nC, Test Condition: 600V, 35A, 5Ohm, 15V, Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.6mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 90ns/340ns, Supplier Device Package: TO-247AD, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A, Reverse Recovery Time (trr): 130 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRG7PH50K10D-EPBF IRG7PH50K10D-EPBF Infineon / IR irg7ph50k10dpbf-1302972.pdf IGBT Transistors 1200V UltraFast 4-20kHz Copack IGBT
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Hersteller: Infineon / IR
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