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IRGB14C40LPBF

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IRGB14C40LPBF.pdf
Produktcode: 26851
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 430 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,5 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 20 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 14 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 125 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 1,35/6
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Technische Details IRGB14C40LPBF IR

  • IGBT, 430V, 20A, TO-220
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:430V
  • Current Ic Continuous a Max:20A
  • Max Voltage Vce Sat:1.75V
  • Power Dissipation:125W
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Clamping Voltage:430V
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:430V
  • Current Temperature:25`C
  • Device Marking:IRGB14C40LPBF
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Fall Time:2.8ns
  • Max Junction Temperature, Tj:175`C
  • Min Junction Temperature, Tj:-40`C
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Rise Time:2400ns

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRGB14C40LPBF IRGB14C40LPBF Infineon Technologies IRG%28S%2CSL%2914C40L%2C%20IRGB14C40LPbF.pdf description Description: IGBT 430V 20A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 900ns/6µs
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 125 W
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IRGB14C40LPBF International Rectifier IRG%28S%2CSL%2914C40L%2C%20IRGB14C40LPbF.pdf description IGBT 430V 20A 125W TO220AB Транзистори
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IRGB14C40LPBF IRGB14C40LPBF Infineon Technologies irgb14c40lpbf.pdf description IGBTs 430V LO-VCEON DISCRETE IGBT
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IRGB14C40LPBF IRGB14C40LPBF INFINEON 140438.pdf description Description: INFINEON - IRGB14C40LPBF - IGBT, 20 A, 1.75 V, 125 W, 430 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 20
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRGB14C40LPBF Infineon Technologies IRG%28S%2CSL%2914C40L%2C%20IRGB14C40LPbF.pdf description Trans IGBT Chip N-CH 370V 20A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRGB14C40LPBF description IRG%28S%2CSL%2914C40L%2C%20IRGB14C40LPbF.pdf
IRGB14C40LPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 430V 20A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 900ns/6µs
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 125 W
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IRGB14C40LPBF description IRG%28S%2CSL%2914C40L%2C%20IRGB14C40LPbF.pdf
Hersteller: International Rectifier
IGBT 430V 20A 125W TO220AB Транзистори
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IRGB14C40LPBF description irgb14c40lpbf.pdf
IRGB14C40LPBF
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 430V LO-VCEON DISCRETE IGBT
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IRGB14C40LPBF description 140438.pdf
IRGB14C40LPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRGB14C40LPBF - IGBT, 20 A, 1.75 V, 125 W, 430 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 20
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRGB14C40LPBF description IRG%28S%2CSL%2914C40L%2C%20IRGB14C40LPbF.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 370V 20A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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