IRGB14C40LPBF
Produktcode: 26851
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Vces: 430
Vce: 1,5
Ic 25: 20
Ic 100: 14
Pd 25: 125
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 1,35/6
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.13 EUR |
| 10+ | 2.50 EUR |
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Technische Details IRGB14C40LPBF IR
- IGBT, 430V, 20A, TO-220
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:430V
- Current Ic Continuous a Max:20A
- Max Voltage Vce Sat:1.75V
- Power Dissipation:125W
- Case Style:TO-220
- Termination Type:Through Hole
- Clamping Voltage:430V
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:430V
- Current Temperature:25`C
- Device Marking:IRGB14C40LPBF
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Fall Time:2.8ns
- Max Junction Temperature, Tj:175`C
- Min Junction Temperature, Tj:-40`C
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:125W
- Rise Time:2400ns
Weitere Produktangebote IRGB14C40LPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRGB14C40LPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 370V 20A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRGB14C40LPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 430V 20A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 900ns/6µs Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 125 W |
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IRGB14C40LPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors 430V LO-VCEON DISCRETE IGBT |
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