IRGB20B60PD1PBF
Produktcode: 63117
Hersteller: IRGehäuse: TO-220AB
Vces: 600
Vce: 02.05.2015
Ic 25: 40
Ic 100: 22
Pd 25: 215
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 20/125
verfügbar 3 Stück:
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 2.6 EUR |
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Technische Details IRGB20B60PD1PBF IR
- IGBT, 600V, 40A, TO-220AB
- Transistor Type:IGBT
- Max Voltage Vce Sat:2.35V
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
- Case Style:TO-220AB
- Max Current Ic Continuous a:40A
- Power Dissipation:215W
- Power Dissipation Pd:215W
- Pulsed Current Icm:80A
- Rise Time:5ns
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:600V
Weitere Produktangebote IRGB20B60PD1PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRGB20B60PD1PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 215000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRGB20B60PD1PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 40A 215W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220AB IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 20ns/115ns Switching Energy: 95µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 390V, 13A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 68 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 215 W |
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IRGB20B60PD1PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors 600V Warp2 150kHz |
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IRGB20B60PD1PBF | Hersteller : Infineon (IRF) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 215W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 215W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube |
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