IRGB4B60KPBF Infineon Technologies


4177irgb4b60kpbf.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 63W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
419+1.56 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRGB4B60KPBF Infineon Technologies

Description: IGBT NPT 600V 12A TO-220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: TO-220AB, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns, Switching Energy: 130µJ (on), 83µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V, Gate Charge: 12 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 63 W.

Weitere Produktangebote IRGB4B60KPBF nach Preis ab 1.65 EUR bis 1.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRGB4B60KPBF IRGB4B60KPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT NPT 600V 12A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns
Switching Energy: 130µJ (on), 83µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 63 W
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
335+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGB4B60KPBF IRGB4B60KPBF Infineon / IR irgs4b60kd1pbf-1227965.pdf IGBT Transistors 600V Low VCEon
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGB4B60KPBF fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 12A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns
Switching Energy: 130µJ (on), 83µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 63 W
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
335+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGB4B60KPBF irgs4b60kd1pbf-1227965.pdf
Hersteller: Infineon / IR
IGBT Transistors 600V Low VCEon
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH