IRGP35B60PDPBF

IRGP35B60PDPBF


IRGP35B60PDPbF_.pdf
Produktcode: 53047
Hersteller:
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRGP35B60PDPBF

  • IGBT, 600V, 40A, TO-247AC
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • Max Current Ic Continuous a:40A
  • Max Voltage Vce Sat:2.15V
  • Power Dissipation:308W
  • Case Style:TO-247AC
  • Termination Type:Through Hole
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Power Dissipation Pd:308W
  • Pulsed Current Icm:120A
  • Rise Time:6ns

Weitere Produktangebote IRGP35B60PDPBF

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRGP35B60PDPBF IRGP35B60PDPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irgp35b60pd-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 308000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP35B60PDPBF IRGP35B60PDPBF Hersteller : Infineon Technologies IRGP35B60PDPbF_.pdf Description: IGBT NPT 600V 60A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AC
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/110ns
Switching Energy: 220µJ (on), 215µJ (off)
Test Condition: 390V, 22A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 308 W
Produkt ist nicht verfügbar
IRGP35B60PDPBF IRGP35B60PDPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRGP35B60PD_DataSheet_v01_00_EN-1732765.pdf IGBT Transistors 600V Warp2 150kHz
Produkt ist nicht verfügbar