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IRGP4650DPBF

IRGP4650DPBF Infineon / IR


Infineon_IRGP4650D_DataSheet_v01_00_EN-1732968.pdf Hersteller: Infineon / IR
IGBT Transistors 600V UltraFast IGBT 50A 268W 104nC
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Technische Details IRGP4650DPBF Infineon / IR

Description: IGBT 600V 76A 268W TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: TO-247AC, Td (on/off) @ 25°C: 46ns/105ns, Switching Energy: 390µJ (on), 632µJ (off), Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 104 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 76 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Power - Max: 268 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRGP4650DPBF IRGP4650DPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irgp4650d-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 76A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRGP4650DPBF IRGP4650DPBF Hersteller : Infineon Technologies IRSD-S-A0000175678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 76A 268W TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/105ns
Switching Energy: 390µJ (on), 632µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 104 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 268 W
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