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IRGSL15B60KDPBF

IRGSL15B60KDPBF Infineon Technologies

infineon-irgb15b60kd-datasheet-v01_00-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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Technische Details IRGSL15B60KDPBF Infineon Technologies

Description: IGBT NPT 600V 31A TO262-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO262-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 34ns/184ns, Switching Energy: 220µJ (on), 340µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 56 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 31 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A, Power - Max: 208 W.

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IRGSL15B60KDPBF IRGSL15B60KDPBF Hersteller : International Rectifier IRSDS10534-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT NPT 600V 31A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO262-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/184ns
Switching Energy: 220µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A
Power - Max: 208 W
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