IRL1004PBF Infineon Technologies
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 1.61 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRL1004PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL1004PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRL1004PBF nach Preis ab 1.17 EUR bis 6.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL1004PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 130A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IRL1004PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 130A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IRL1004PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IRL1004PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IRL1004PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IRL1004PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
IRL1004PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 130A 66.7nC 6.5mOhm LogLvAB |
auf Bestellung 804 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
IRL1004PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
IRL1004PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL1004PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
IRL1004PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |