IRL1104


irl1104-datasheet.pdf
Produktcode: 99524
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 104
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3445/68
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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AnzahlPreis
1+2.26 EUR
10+2.14 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRL1104 IRL1104 Infineon Technologies irl1104.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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IRL1104 irl1104.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
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